Transistors. Page 105 sur 114. Avtronic

Transistor SPD28N03L

3.58€ TTC

348 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 75W. Rds<0.023 Ohm. SIPMOS Power Transistor. Logic Level Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

0

Tarifs dégressifs

Transistor SPI07N60C3

7.50€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor SPI07N60C3 N-MOS 650V 7.3A 83W<0.54R(4.6A). Cool MOS Power Transistor. ID puls: 21.9A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-262 (I2-PAK). Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.6 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SPP04N60C3

6.94€ TTC

50 En stock

Transistor SPP04N60C3 N-MOS 650V 4.5A 50W<0.85R(2.8A)TO220. Cool Mos. ID puls: 13.5A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220-3-1. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 0.85.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N SPP04N60C3XKSA1

7.50€ TTC

132 En stock

Transistor MOSFET canal-N 800V 4.5A/13.5Ap 50W. Résistance passante RDSon : 0.85 Ohms (2.8A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor SPP06N80C3

9.13€ TTC

23 En stock

Transistor MOSFET canal N 800V 6A/18Ap 83W 0.78R (3.8A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor SPP07N60S5

8.57€ TTC

72 En stock

Transistor SPP07N60S5 N-MOS 600V 7.3A/14.6Ap. 83W 0.54R(4.6A). Cool MOS Power Transistor. ID puls: 14.6A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.6 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N SPP08N80C3

8.06€ TTC

53 En stock

Transistor MOSFET canal-N 800V 8A/24Ap 104W. Résistance passante RDSon : 0.34 Ohms (5.1A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor SPP08P06P

5.04€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 8.8A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 8.8A. Puissance: 42W. Résistance Rds: 0.23 Ohms. SIPMOS Power-Transistor.

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Tarifs dégressifs

Transistor SPP11N60C3

11.09€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor SPP11N60C3 N-MOS 650V 11A 125W 0.34R (7A) TO220. Cool Mos POWER trafnsistor. ID puls: 33A. td(on) 10nS. td(off) 44nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO220-3-1. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor SPP11N60S5

13.16€ TTC

53 En stock

Transistor SPP11N60S5 N-MOS 600V 11A/33Ap. 125W 0.34R (7A) TO220. Cool Mos POWER trafnsistor. ID puls: 33A. td(on) 130nS. td(off) 150nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO220-3-1. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor SPP11N80C3

14.62€ TTC

32 En stock

Transistor SPP11N80C3 N-MOS 800V 11A/33Ap. 156W 0.39R(7.1A). Cool Mos. ID puls: 33A. Constructeur: INF. Boîtier: TO220. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.1 A. Rds (Ohms): 0.39.

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Tarifs dégressifs

Transistor SPP17N80C2

15.29€ TTC

118 En stock

Transistor SPP17N80C2 N-MOS 800V 17A 208W 0.250R(11A). Cool Mos. ID puls: 51A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220-3-1. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A. Rds (Ohms): 0.25.

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Tarifs dégressifs

Transistor SPP17N80C3

23.41€ TTC

40 En stock

Transistor SPP17N80C3 N-MOS 800V 17A 208W 0.250R(11A). Cool Mos. ID puls: 51A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220-3-1. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A. Rds (Ohms): 0.25.

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Tarifs dégressifs

Transistor SPP18P06P

7.84€ TTC

12 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 18.7A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 18.7A. Puissance: 81W. Résistance Rds: 0.102 Ohms. SIPMOS Power-Transistor.

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Tarifs dégressifs

Transistor SPP20N60C3

15.96€ TTC

59 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 650V 20.7A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 650V. Id(@25ºC): 20.7A. Puissance: 208W. Résistance Rds: 0.16 Ohms.

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Tarifs dégressifs

Transistor SPP20N60S5

13.94€ TTC

36 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 650V 20A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 650V. Id(@25ºC): 20A. Puissance: 208W. Résistance Rds: 0.16 Ohms. Cool Mos.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SPW11N80C3

15.74€ TTC

7 En stock

Transistor SPW11N80C3 N-MOS 800V 11A/33Ap. 156W 0.39R(7.1A). Cool Mos. ID puls: 33A. Constructeur: INF. Boîtier: TO247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.1 A. Rds (Ohms): 0.39.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SPW17N80C3

22.01€ TTC

35 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 800V 17A. Boîtier: TO-247. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 17A. Puissance: 208W. Résistance Rds: 0.29 Ohms. Cool Mos Power Transistor.

0

Tarifs dégressifs

Transistor SPW47N60C3

38.86€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 600V 47A. Référence d'origine constructeur: Q67040-S4491. Marquage boîtier: 47N60C3. Boîtier: TO-247. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 47A. Puissance: 415W. Résistance Rds: 0.06 Ohms. Cool Mos Power Transistor.

0

Tarifs dégressifs

Transistor PNP SS8550

0.22€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor PNP 40V 1.5A 1W 120MHz

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Tarifs dégressifs

Transistor SS9012G

0.67€ TTC

625 En stock

Transistor bipolaire PNP. Gain HFE:112-166. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92. Class B Push-pull Operation. Excellent hFE linearity. Puissance: 0.625W.

0

Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor SPD28N03L

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 75W. Rds<0.023 Ohm. SIPMOS Power Transistor. Logic Level Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

Transistor SPI07N60C3

Transistor SPI07N60C3 N-MOS 650V 7.3A 83W<0.54R(4.6A). Cool MOS Power Transistor. ID puls: 21.9A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-262 (I2-PAK). Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.6 A.

Transistor SPP04N60C3

Transistor SPP04N60C3 N-MOS 650V 4.5A 50W<0.85R(2.8A)TO220. Cool Mos. ID puls: 13.5A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220-3-1. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 0.85.

Transistor MOSFET canal-N SPP04N60C3XKSA1

Transistor MOSFET canal-N 800V 4.5A/13.5Ap 50W. Résistance passante RDSon : 0.85 Ohms (2.8A)

Transistor SPP06N80C3

Transistor MOSFET canal N 800V 6A/18Ap 83W 0.78R (3.8A)

Transistor SPP07N60S5

Transistor SPP07N60S5 N-MOS 600V 7.3A/14.6Ap. 83W 0.54R(4.6A). Cool MOS Power Transistor. ID puls: 14.6A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.6 A.

Transistor MOSFET canal-N SPP08N80C3

Transistor MOSFET canal-N 800V 8A/24Ap 104W. Résistance passante RDSon : 0.34 Ohms (5.1A)

Transistor SPP08P06P

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 8.8A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 8.8A. Puissance: 42W. Résistance Rds: 0.23 Ohms. SIPMOS Power-Transistor.

Transistor SPP11N60C3

Transistor SPP11N60C3 N-MOS 650V 11A 125W 0.34R (7A) TO220. Cool Mos POWER trafnsistor. ID puls: 33A. td(on) 10nS. td(off) 44nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO220-3-1. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A.

Transistor SPP11N60S5

Transistor SPP11N60S5 N-MOS 600V 11A/33Ap. 125W 0.34R (7A) TO220. Cool Mos POWER trafnsistor. ID puls: 33A. td(on) 130nS. td(off) 150nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO220-3-1. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A.

Transistor SPP11N80C3

Transistor SPP11N80C3 N-MOS 800V 11A/33Ap. 156W 0.39R(7.1A). Cool Mos. ID puls: 33A. Constructeur: INF. Boîtier: TO220. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.1 A. Rds (Ohms): 0.39.

Transistor SPP17N80C2

Transistor SPP17N80C2 N-MOS 800V 17A 208W 0.250R(11A). Cool Mos. ID puls: 51A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220-3-1. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A. Rds (Ohms): 0.25.

Transistor SPP17N80C3

Transistor SPP17N80C3 N-MOS 800V 17A 208W 0.250R(11A). Cool Mos. ID puls: 51A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220-3-1. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A. Rds (Ohms): 0.25.

Transistor SPP18P06P

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 18.7A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 18.7A. Puissance: 81W. Résistance Rds: 0.102 Ohms. SIPMOS Power-Transistor.

Transistor SPP20N60C3

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 650V 20.7A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 650V. Id(@25ºC): 20.7A. Puissance: 208W. Résistance Rds: 0.16 Ohms.

Transistor SPP20N60S5

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 650V 20A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 650V. Id(@25ºC): 20A. Puissance: 208W. Résistance Rds: 0.16 Ohms. Cool Mos.

Transistor SPW11N80C3

Transistor SPW11N80C3 N-MOS 800V 11A/33Ap. 156W 0.39R(7.1A). Cool Mos. ID puls: 33A. Constructeur: INF. Boîtier: TO247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.1 A. Rds (Ohms): 0.39.

Transistor SPW17N80C3

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 800V 17A. Boîtier: TO-247. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 17A. Puissance: 208W. Résistance Rds: 0.29 Ohms. Cool Mos Power Transistor.

Transistor SPW47N60C3

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 600V 47A. Référence d'origine constructeur: Q67040-S4491. Marquage boîtier: 47N60C3. Boîtier: TO-247. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 47A. Puissance: 415W. Résistance Rds: 0.06 Ohms. Cool Mos Power Transistor.

Transistor PNP SS8550

Transistor PNP 40V 1.5A 1W 120MHz

Transistor SS9012G

Transistor bipolaire PNP. Gain HFE:112-166. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92. Class B Push-pull Operation. Excellent hFE linearity. Puissance: 0.625W.

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